SQJ479EP-T1

漏源电压（Vdss） 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） 33 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） 150 nC @ 10 V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） 4500 pF @ 25 V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 68W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerPAK® SO-8

MK11DN512AVLK5 NXP 9600 21+
MKV10Z64VLF7 NXP 2500 2122+
MAX6070BAUT25+T 美信 5000 21+
MAX15062BATA+T 美信 5000 22+
LM46000QPWPRQ1 TI 1990 20+
TLV75901PDRVR TI 15000 22+
NDC7001C ON 8950 21+
FDMA510PZ ON 6000 21+
ISP752R 英飞凌 5000 22+
ATMEGA644PA-MUR 微芯 4000 21+
ATSAMD10D14A-MUT 微芯 6000 21+
LD39200PUR ST 6000 21+
SQJ479EP-T1_BE3 威世 3000 21+
TLE9180D-21QK 英飞凌 3800 21+
BSZ0501NSI 英飞凌 10000 22+
BTS5090-1EJA 英飞凌 2500 22+
EN5311QI 阿尔特拉 2000 21+