FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDC7001C 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 340 mA, 50 V, 1 ohm, 10 V, 2.1 V
额定电流350 mA
针脚数6
漏源极电阻1 Ω
极性N-Channel, P-Channel, Dual N-Channel, Dual P-Channel
耗散功率960 mW
阈值电压2.1 V
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)510 mA
输入电容(Ciss)20pF @25V(Vds)
额定功率(Max)700 mW
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)0.96 W
封装参数
安装方式Surface Mount
引脚数6
封装TSOT-23-6
外形尺寸
长度3 mm宽度1.7 mm高度1 mm封装TSOT-23-6
物理参数
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
MK11DN512AVLK5 NXP 9600 21+
MKV10Z64VLF7 NXP 2500 2122+
MAX6070BAUT25+T 美信 5000 21+
MAX15062BATA+T 美信 5000 22+
LM46000QPWPRQ1 TI 1990 20+
TLV75901PDRVR TI 15000 22+
NDC7001C ON 8950 21+
FDMA510PZ ON 6000 21+
ISP752R 英飞凌 5000 22+
ATMEGA644PA-MUR 微芯 4000 21+
ATSAMD10D14A-MUT 微芯 6000 21+
LD39200PUR ST 6000 21+
SQJ479EP-T1_BE3 威世 3000 21+
TLE9180D-21QK 英飞凌 3800 21+
BSZ0501NSI 英飞凌 10000 22+
BTS5090-1EJA 英飞凌 2500 22+
EN5311QI 阿尔特拉 2000 21+
