主要规格 RT8231A RT8231B
Status Active Active
Vs (typ) (V) 5 5
Vin (min) (V) 4.5 4.5
Vin (max) (V) 26 26
Vout (min) (V) 0.675 0.675
Vout (max) (V) 3.3 3.3
Output Adj. Method Resistor Resistor
Accuracy (+/- %) 1 1
Freq (min) (kHz) 260 260
Freq (max) (kHz) 1500 1500
Iq (typ) (mA) 0.135 0.135
Ext Sync Yes Yes
Features Adjustable Current Limit;Adjustable Frequency;Built-in Bootstrap Switch;COT Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;DDR Total Solution;Diode Emulation Mode;Enable Input;Fast Transient Response;Internal Compensation;OCP;OVP;Power Good;SCP;Stable with Ceramic Capacitor;UVP Adjustable Current Limit;Adjustable Frequency;Built-in Bootstrap Switch;COT Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;DDR Total Solution;Diode Emulation Mode;Enable Input;Fast Transient Response;Internal Compensation;OCP;OVP;Power Good;SCP;Stable with Ceramic Capacitor;UVP
Package Type WQFN3x3-20 WQFN3x3-20
关键特性 PWM 控制器
► 下桥 RDS(ON)检测方式的可调电流限制
► 低静态电流消耗
► 100ns 快速瞬态响应能力
► 全输入、负载范围内 1% VVDDQ电压精度
► 0.675V~3.3V 可调输出范围，可供 1.8V (DDR2)、1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V (LPDDR3)、1.2V (DDR4) 和 1.1V (LPDDR4)
► 输入电压范围：4.5V~26V
► 工作频率由电阻调节
► 过压/欠压保护
► 内置软启动
► 可驱动大型同步整流 MOSFETs
► Power Good 指示 1.5A LDO (VTT)，带缓冲的参考源(VTTREF)
► 高达 1.5A 电流吐纳能力
► LDO 输入可选，优化功率损失
► 仅需 10μF 陶瓷输出电容
► 集成分压器使 VTT 和 VTTREF 追踪 1/2 VDDQ
► VTTREF 和 VTT 的精度：±20mV
► 支持 S3 的高阻状态和 S4/S5 的软关机操作 符合 RoHS 规范，不含卤素
