型号 SI4401DDY-T1-GE3
品牌 VISHAY/威世
批次 21+
封装 SOP-8
原装现货 假一罚十 价格优势 先到先得 支持实单
SI4401DDY-T1-GE3 VISHAY/威世 场效应管MOS
产品属性
属性值
搜索类似
制造商:
Vishay
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
SOIC-8
晶体管极性:
P-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
40 V
Id-连续漏极电流:
16.1 A
Rds On-漏源导通电阻:
15 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
1.2 V
Qg-栅极电荷:
64 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
6.3 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
TrenchFET
封装:
Reel
封装:
Cut Tape
封装:
MouseReel
商标:
Vishay Semiconductors
配置:
Single
下降时间:
9 ns
正向跨导 - 最小值:
37 S
产品类型:
MOSFET
上升时间:
11 ns
系列:
SI4
工厂包装数量:
2500
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 P-Channel
典型关闭延迟时间:
45 ns
典型接通延迟时间:
13 ns
零件号别名:
SI4401DDY-GE3
单位重量:
750 mg
v
