是否Rohs认证
符合
生命周期 Active
Objectid 8006008141
包装说明 CHIP CARRIER, R-XBCC-N6
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
风险等级 1.21
Samacsys Description Infineon IRF7480MTRPBF N-channel MOSFET, 330 A, 40 V DirectFET, 6+Tab-Pin ME
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等级（Eas） 206 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 40 V
最大漏极电流 (ID) 217 A
最大漏源导通电阻 0.0012 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-XBCC-N6
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 6
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 868 A
表面贴装 YES
端子形式 NO LEAD
端子位置 BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
HGTG27N120BN
APA2603AKI-TRG
APA2604AQAI-TRG
APA2603AQAI-TRG
AXP288C
04N70BI
BTS2145-1P
5R140P
A-1701
A1701
MST9815Q1
PV2 18N50
K4T1G164QE-HCE7 其他被动元件
K4T51163QG-HCE7
1H0280R
STTH1002CT
STTH1002CFP
TL072CDT 运放IC
FSU10B60
K4T1G164QD-ZCE6
K4T51163QI-HCE7
FSFR2100XSL
SN54LS123J
PG1010R
MMF60R750PTH
MMF60R360PTH
BU7262F-E2
FE1.1
AOT20S60
FDP3652
IPD042P03L3
IPD042P03L3
IPD042P03L3 G
2SB1258 贴片三极管
2SC3678
RDX060N60
SW8N70
KF10N60F
2SB1274
DB107
BCR2PM-14L
MP1593DN
AT24C16N
AR8035-AL1A
LL15XB60
MURS460C
CXD3531R
FDS8880-NL
SLA5037
MR1722
SS1060FL
2SK2897
2SK2890
NBC12429FAR2G
