CSD13380F3

半导体 分立半导体 晶体管 MOSFET Texas Instruments CSD13380F3 制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PICOSTAR-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 12 V
Id-连续漏极电流: 3.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 76 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 550 mV
Qg-栅极电荷: 1.2 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.4 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 3 ns
正向跨导 - 最小值: 4.3 S
高度: 0.35 mm
长度: 0.73 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 4 ns
系列: CSD13380F3
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 4 ns
宽度: 0.64 mm
单位重量: 0.300 mg