类别
分立半导体产品
晶体管-FET，MOSFET-单个
制造商
InfineonTechnologies
系列
HEXFET
包装
管件
零件状态
在售
FET类型
N通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55V
25°C时电流-连续漏极(Id)
110A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）
10V
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）
8毫欧@62A，10V
不同Id时Vgs(th)（最大值）
4V@250μA
不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）
146nC@10V
Vgs（最大值）
±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）
3247pF@25V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
200W（Tc）
工作温度
-55°C~175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IRF3205
IRF730PBF
R5F10268ASP#55
R5F102AAASP
