VSC6134ST_VITESSE 21+ BGA导读
事实上，近些年随着AI在物联网的渗透和边缘计算能力的增强，MEMS传感器凭借体积小、重量轻、功耗低、可靠性高、灵敏度高等一系列优点，正逐渐成为微型传感器的主力军，大有取代传统机械传感器的趋势。
VSC6134ST_VITESSE 21+ BGA" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154955135513.jpg" />
VSC8142VR-01
因此，自动驾驶领域的导航系统精度无法只通过高精度卫星来保障，基于MEMS传感器技术的惯性测量单元(IMU)才是保障自动驾驶的最后一道屏障。
ADI 采用硅技术的新型高功率开关为 RF 设计人员和系统架构师提供了提高其系统复杂度的灵活性，且不会让 RF 前端成为其设计瓶颈。ADI 采用硅技术的新型高功率开关专为简化 RF 前端设计而研发，免除外围电路的需要并将功耗降至可忽略不计的水平。
BYP35066A BYP35014A BYF35526A BYP36078A BYI362 。
无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关联。
VSC6134ST_VITESSE 21+ BGA" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154951345134.jpg" />
VITESSE 21+ BGA
它简化了电源要求，且不需要高功率电阻器。与基于 PIN 二极管的开关相比，硅开关所占用的 PCB 面积不到其 1/10。并排对比了单层 PCB 设计上基于 PIN 二极管的开关和新型硅开关的印刷电路板 (PCB) 原图。
多输入、多输出 (MIMO) 收发器架构广泛用于高功率 RF 无线通信系统的设计。作为迈入 5G 时代的一步，覆盖蜂窝频段的大规模 MIMO 系统目前正在城市地区进行部署，以满足用户对于高数据吞吐量和一系列新型业务的新兴需求。
N型MOS管应用的场景更多，相比于比P型MOS管，其优点如下 1、开关速度更快 2、耐压更高 3、通过的电流更大下面是N型MOS管的一个简单的引用电路，当G端通入高电平，MOS管D、S间导通，此时MOS管导通，电机的电流得以通过，电机转动。。当G端为低电平的时候，D、S间无法导通，电机也就无法运行。
AD8351ARMZ-REEL7 AD5791BRUZ ADUM3151BRSZ-RL7 ADG5412BCPZ-REEL7 ADUM3223ARZ-RL7 。
VSC6134ST_VITESSE 21+ BGA" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202204/20220420154951345134.jpg" />
新的技术能力也有助于制造商从对工厂自动化设备的投入中获得更多的价值。IIoT背后的理念是通过数字化整个工业运营链来提高生产率，并基于数字数据建立洞察力。
相关资讯
