TMUX1119DCKR是一种互补金属氧化物半导体 (CMOS) 单极双投 (2:1) 开关。1.08V 至 5.5V 的宽电源电压工作范围 可支持 医疗设备到工业系统的大量应用。该器件可在源极 (Sx) 和漏极 (D) 引脚上支持从 GND 到 VDD 范围的双向模拟和数字信号。
TMUX1119DCKR所有逻辑输入均具有兼容 1.8V 逻辑电平的阈值，当器件在有效电源电压范围内运行时，这些阈值可确保 TTL 和 CMOS 逻辑兼容性。失效防护逻辑 电路允许在电源引脚之前的控制引脚上施加电压，从而保护器件免受潜在的损害。
TMUX1119DCKR是精密开关和多路复用器器件系列的一部分。这些器件具有非常低的导通和关断泄漏电流以及较低的电荷注入，因此可用于高精度测量 应用的高速串行链路的稳定性。3nA 的低电源电流和小型封装选项使其可用于便携式 应用的热管理优化而设计。中实现高功率密度、高效率和稳健性。
特性
宽电源电压范围：1.08V 至 5.5V
低泄漏电流：3pA
低导通电阻：1.8Ω
低电荷注入：–6pC
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
兼容 1.8V 逻辑电平
失效防护逻辑
轨至轨运行
双向信号路径
先断后合开关
ESD 保护 HBM：2000V
