制造商：Vishay Semiconductors
说明：
MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 5.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 58 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 13 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.1 W
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 15 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns, 65 ns
系列: SI9
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 10 ns, 15 ns
典型接通延迟时间: 15 ns, 20 ns
零件号别名: SI9945BDY-GE3
单位重量: 750 mg
