制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 540 mA
Rds On-漏源导通电阻: 346 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 1.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 360 mW
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 24 ns
正向跨导 - 最小值: 600 mS
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
系列: BSS670S2
工厂包装数量: 12000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 21 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: SP000928950 BSS67S2LH6327XT BSS670S2LH6327XTSA1
单位重量: 8 mg
AD9625BBPZ-2.5
AD9648BCPZRL7-105
STM32F427IIH6
BSC320N20NS3G
MCIMX6Q6AVT10AD
GLH110 SR2CA
MIC29502WU
MT53D1024M32D4DT-053WT:D
CY8C27443-24PVXIT
TPS53915RVER
TPS53318DQPR
TPS22959DNYR
TMS320F28377DPTPT
TAS5756MDCAR
SN74AVC4T774RGYR
LM53601MQDSXRQ1
CDCM6208V1RGZR
VNH7100BASTR
VNH7040AYTR
TPS548A20RVER
DRV8908QPWPRQ1
TPS53355DQPR
SPC5746RK1MLU3
SPC5644AF0MLU1R
SC900950AER2
S912ZVC12F0VKHR
TPS56637RPAR
MCF5235CVM150
MC33772BSP1AE
MC33771BSP1AE
MCP79411T-I/SN
MAX20087ATPA/VY+T
10M04SCU324C8G
10M04SCU169C8G
