位置:51电子网 » 企业新闻

IKW50N65H5FKSA1

发布时间:2022/4/21 9:39:00 访问次数:53

类别 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 TrenchStop®
包装 管件
零件状态 在售
IGBT 类型 -
电压 - 集射极击穿(最大值) 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm) 150 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) 2.1V @ 15V,50A
功率 - 最大值 305 W
开关能量 520μJ(开),180μJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 120 nC
25°C 时 Td(开/关)值 21ns/180ns
测试条件 400V,25A,12 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr) 57 ns
工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商器件封装 PG-TO247-3
基本产品编号 IKW50N65

上一篇:TPS92630QPWPRQ1

下一篇:ADA4805-1ARJZ-R7

相关新闻

相关型号