制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 41 A, 235 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W, 128 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 47 ns
工厂包装数量: 1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 187 mg
ACT45B-510-2P-TL003
B82793S0513N201
TPS63030DSKR
TLV70230DBVR
TLV70233DBVR
TPS63802DLAR
24LCS52T-I/MS
STM32G030F6P6TR
STM32F103ZGT6
STM32L051T8Y6TR
STM32G031G8U6
STM8S105K4T6C
CM1442-06CP
DMHC3025LSD-13
DMG1016UDW-7
DMN2075U-7
DMN2056U-7
PIC16LF1829-I/ML
Si1141-M01-GMR
KSZ8851SNL
BQ40Z50RSMR-R2/R1
CS5343-CZZR
MC908MR32CFUE
MAX3232EEUE+T
PN7150B0HN/C11002
PCM3168APAPR
STM32G030K6T6
MT40A512M16TB-062E:J
TPS63802DLAR
TPS63030DSKR
STM8S105K4T6C
TPA6100A2DGKR
STM32G030F6P6TR
ACT45B-510-2P-TL003
MX25V1635FZNI
GD25Q32CTIGR 6K
MCP3425A0T-E/CH
SPC56EL60L5CBFQR
TI SN74LVC1G08DBVR
TI TMS320F2806PZA
TI LMR14030SQDDARQ1
Microchip USB2514B-AEZC-TR
TI PCA9306DCUR
