MS3110P是一个通用的、超低噪音的CMOS集成电路用于支持各种需要高分辨率电容读数的MEMS传感器接口。
MS3110P只需要一个+ 5VDC的供应和一些去耦组件。没有需要额外的组件。MEMS传感器(如加速计、速率传感器和其他可被建模为变量的传感器)电容器)需要一个能感知电容上微小变化的读出电子接口。
MS3110P可以感应到的电容变化到4.0 aF / rtHz，典型。对于一个微分电容对或一个电容传感器的MS3110接口。一个高级电压输出信号是线性的，具有全范围的感觉电容。
MS3110P还包括一个芯片的电容式DAC(最高可达10pF)用于初始差分调整和/或准-与虚拟电容器进行微分运算。
MS3110P有削减收益的规定输出偏移量。带宽也是用户可编程的。提供了一个芯片的EEPROM来存储修剪和程序设置
特点:
电容解析:4.0 af / rtHz
传感器模式:单变量或双变量
用于准差动操作和初始调整的晶片假电容器
增益和直流偏置平衡
可编程带宽调整0.5到8kHz(9步)
2.25VDC输出ADC参考/比率操作
单+ 5.0 v直流
用于存储设置的芯片EEPROM
可用于模具或16针SOIC
应用程序:
压力传感器
加速度计(低g)
速度传感器
位移
速度传感器
流体控制
触摸传感器
流量传感器
操作理论MS3110感知两个电容之间的电容变化，并提供输出电压与这一变化成正比。被感知的电容器是一个外部平衡对，CS1IN和CS2IN。输出电压是传感电容CS2之间变化的函数吨和CS1吨根据下面的编程规范为了允许如此大范围的选项，一些程序模式和trims被合并到.
MS3110用户可以选择将这些设置存储到一个芯片EEPROM中，它会发送数据对芯片上的控制寄存器，或者直接程序控制寄存器没有内存存储。两者都需要串行输入数据、时钟和写信号。编程EEPROM需要+ 16直流供应
