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TAJB226M020RNJ

发布时间:2022/3/30 19:39:00 访问次数:155 发布企业:深圳市百域芯科技有限公司

TAJB226M020RNJ_TAJB226M020RNJ导读

而这款场效应管NCE80H12背后的新洁能利用自身技术优势,与8英寸晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作,具备完善的质量管理体系,确保产品的持续品质和稳定供货。


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TAJD106M025RNJ

FDS6990-NL HAT2092R HAT2092RJ IRF8313TRPBF MDS5601URH 。

AO4832 AO4838 CEM3138 DMG4800LSD-13 EMB17A03G FDS6982-NL 。

SP8K4-TB SPN4972S8RG SQ4282EY-T1-GE3 STN4972 STS8DN3LLH5 。

06031.8M5% 0603100K5% 0603100R5% 060310K1% 060310K5% 。


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BYP32028 BYS32010 BYJ32027A BYH326 BYH323 。

BYH343 BYM3411 BYP342 BYS342 BYM345 。

TAJA224K050RNJ TAJA224M035RNJ TAJA224M050RNJ TAJA225K006RNJ TAJA225K010RNJ TAJA225K016RNJ TAJA225K020RNJ TAJA225K025RNJ TAJA225K035RNJ TAJA225M006RNJ 。

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总的来说,MOSFET优点是高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压高。


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