制造商: onsemi
系列: FDP18N50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Power MOSFET
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 60 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 38.5 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 90 ns
正向跨导 - 最小值: 25 S
高度: 16.3 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 165 ns
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
宽度: 4.7 mm
单位重量: 2 g
FDP18N50 ON
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