位置:51电子网 » 企业新闻

BSZ060NE2LS

发布时间:2021/12/7 9:23:00 访问次数:182

类型 描述 选择


类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个


制造商 Infineon Technologies


系列 OptiMOS™


包装 卷带(TR)

剪切带(CT)

Digi-Reel® 得捷定制卷带


零件状态 在售


FET 类型 N 通道


技术 MOSFET(金属氧化物)


漏源电压(Vdss) 25 V


25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 12A(Ta),40A(Tc)


驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V


不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 6 毫欧 @ 20A,10V


不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250μA


不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值) 9.1 nC @ 10 V


Vgs(最大值) ±20V


不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 670 pF @ 12 V


FET 功能 -


功率耗散(最大值) 2.1W(Ta),26W(Tc)


工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)


安装类型 表面贴装型


供应商器件封装 PG-TSDSON-8-FL


封装/外壳 8-PowerTDFN


基本产品编号 BSZ060


报告一个错误 新建参数搜索

上一篇:TOP265VG原装现货

下一篇:IRF9540PBF

相关新闻

相关型号