N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)
MOSFET 晶体管,IXYS
兴科泰原装现货供应,IXYS全系列 MOS管 优势供应
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
产品技术参数 属性 数值IXFK27N80Q 通道类型 N
IXFK27N80Q 最大连续漏极电流 27 A
IXFK27N80Q 最大漏源电压 800 V
IXFK27N80Q 封装类型 TO-264AA
IXFK27N80Q 安装类型 通孔
IXFK27N80Q 引脚数目 3
IXFK27N80Q 最大漏源电阻值 320 mΩ
IXFK27N80Q 通道模式 增强
最大栅阈值电压 4.5V
最大功率耗散 500 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
系列 HiperFET, Q-Class
最低工作温度 -55 °C
宽度 5.13mm
典型栅极电荷@Vgs 170 nC @ 10 V
长度 19.96mm
最高工作温度 +150 °C
高度 26.16mm
晶体管材料 Si