IXFH34N65X2 IXYS原装现货
IXFH34N65X2 封装TO-247
IXFH34N65X2 现货图片：
IXFH34N65X2 详细参数如下：
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
34A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
105 毫欧 @ 17A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）
56 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3330 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
540W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247（IXTH）
封装/外壳
TO-247-3
