製造商:
onsemi
產品類型:
MOSFET
RoHS:
詳細資料
技術:
Si
安裝風格:
SMD/SMT
封裝/外殼:
SOT-363-6
晶體管極性:
N-Channel, P-Channel
通道數:
2 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓:
27 V, 10.5 V
Id - C連續漏極電流:
630 mA, 775 mA
Rds On - 漏-源電阻:
290 mOhms, 220 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓:
- 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
920 mV, 830 mV
Qg - 閘極充電:
1.3 nC, 2.2 nC
最低工作溫度:
- 55 C
最高工作溫度:
+ 150 C
Pd - 功率消耗 :
270 mW
通道模式:
Enhancement
封裝:
Reel
封裝:
Cut Tape
封裝:
MouseReel
品牌:
onsemi
配置:
Dual
下降時間:
506 ns, 36 ns
互導 - 最小值:
2 S
高度:
0.9 mm
長度:
2 mm
產品:
MOSFET Small Signal
產品類型:
MOSFET
上升時間:
227 ns, 23 ns
系列:
NTJD4105C
原廠包裝數量:
3000
子類別:
MOSFETs
晶體管類型:
1 N-Channel, 1 P-Channel
類型:
MOSFET
標準斷開延遲時間:
786 ns, 50 ns
標準開啟延遲時間:
83 ns, 13 ns
寬度:
1.25 mm
每件重量:
7.500 mg
NTJD4105CT2G
发布时间:2021/11/24 9:31:00 访问次数:82 发布企业:深圳市科雨电子有限公司
上一篇:XC7A35T-1CPG236I
下一篇:UCC2808AQDR-1Q1