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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 300 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 59 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Qg-栅极电荷: 165 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 430 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
25
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: PDP Switch
宽度: 5.31 mm
零件号别名: SP001554936
单位重量: 6 g
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LMV861MG TI
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