不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期 Active
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F2
Reach Compliance Code not_compliant
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 26 weeks
风险等级 1.78
Samacsys Description INFINEON - IPT012N08N5ATMA1 - MOSFET, N-CH, 80V, 300A, PG-HSOF-8
Samacsys Manufacturer Infineon
雪崩能效等级（Eas） 817 mJ
外壳连接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 80 V
最大漏极电流 (ID) 52 A
最大漏源导通电阻 0.0012 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-F2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 1200 A
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 FLAT
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON
