场效应管(MOSFET)
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.1V 250uA
功率(Pd) 1.3W
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 0.028Ω 5A,4.5V
类型 P沟道
如需其他型号可咨询
发布时间:2021/11/11 17:55:00 访问次数:169 发布企业:深圳市芯美力科技有限公司
场效应管(MOSFET)
阈值电压(Vgs(th)@Id) 1.1V 250uA
功率(Pd) 1.3W
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 0.028Ω 5A,4.5V
类型 P沟道
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