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IRF3205PBF

发布时间:2021/9/6 17:47:00 访问次数:227

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产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 110 A
Rds On-漏源导通电阻: 8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 97.3 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 100
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRF3205PBF SP001559536
单位重量: 2 g

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LM317LDR2G ONSEMI
LM317MDTRKG ONSEMI
LM317LBDR2G ONSEMI
LM317BD2TR4G ONSEMI
PMV213SN NEXPERIA/安世
NTK3139PT1G ONSEMI
PMEG2010EA NEXPERIA/安世
PMEG2010AEB NEXPERIA/安世
74HC1G14GW NEXPERIA/安世
74HC1G32GW NEXPERIA/安世
IMX1T110 ROHM/罗姆
IMX17T110 ROHM/罗姆
BAV199 NEXPERIA/安世
BAT54 NEXPERIA/安世
MMSD914T1G ONSEMI
SD05T1G ONSEMI
ES3D ON/安森美
ES3D ONSEMI
BAW56 NEXPERIA/安世
RB551V-30TE-17 ROHM/罗姆
BAV70TT1G ONSEMI
DA204UT106 ROHM/罗姆
BAV99 NEXPERIA/安世
BAV99W NEXPERIA/安世
BAV99S NEXPERIA/安世
BAV99LT1G ONSEMI
BAV99WT1G ONSEMI
BA6287F-E2 ROHM/罗姆
LM2902DR2G ONSEMI
RB521S30T1G ONSEMI
MMSZ4697T1G ONSEMI
NC7SZ125P5X FAIRCHILD/仙童
BCP55 NEXPERIA/安世
DTC143EETL ROHM/罗姆
DTC143EUAT106 ROHM/罗姆
BCP51 NEXPERIA/安世
BC817 NEXPERIA/安世
IMT17T110 ROHM/罗姆
BAS16VY NEXPERIA/安世
MMDL914T1G ONSEMI
CAT24C04WI-GT3 ONSEMI
CAT24C256WI-GT3 ONSEMI
CAT24C512WI-GT3 ONSEMI
MMSZ5256BT1G ONSEMI
IMX9T110 ROHM/罗姆
LM224DR2G ONSEMI
SS24 ONSEMI
UMX1NTN ROHM/罗姆
NTA4001NT1G ONSEMI
LM2903DR2G ONSEMI
RE1C002UNTCL ROHM/罗姆

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