DRV8701PRGER 其他被动元件_5M1270ZT144C5N导读
该公司目前拥有两个300mm晶圆厂，分别名为RFAB和DMO56。TI将很多逻辑和嵌入式IC生产外包给代工厂，但模拟芯片主要都是在其自家的工厂生产。
Pahl表示，每年在这两个150mm晶圆厂生产约15亿美元的产品，很大一部分将转移到300mm晶圆厂，从而提高生产率和经济效益。
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ADS124S08IPBSR
TPS74801DRCR TPS22918DBVR TLV62569ADRLR TLV62569ADRLT TPS61230ARNST 。
SN74HCS74QPWRQ1 BQ27200EVM TPD8F003DQDR LMC6082AIN/NOPB 。
TI负责连接微控制器的副总裁Ray Upton解释说，新技术对于“以稳定的方式移动大量数据”至关重要，从而改善了高性能通信。 。
TMP112AIDRLR TS3A225ERTER TPS2546RTER TMP112AIDRLT TPS82130SILR 。
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GRM21BR60G107ME15
LM5176PWPR LM5176PWPT DRV8876PWPR TPS23751PWPR TPS61194PWPR 。
IDC连接和智能手机半导体研究总监Philip Solis说，“新的BAW谐振器技术非常重要，因为TI正在将其集成到其硅芯片产品中，从而缩短设计时间，解决方案尺寸和元件成本。”。
这种结构整体效果相当于和空气接触，大部分声波被反射回来，这种结构称为BAW-SMR(Solidly Mounted Resonator)，如下图。Reflector由好几层高低交替阻抗层组成，比如第一层的声波阻抗大，第二层的声波阻抗小，第三层声波阻抗大，而且每层的厚度是声波的λ/4，这样大部分波会反射回来和原来的波叠加。有一种方法是在震荡结构下方形成Bragg reflector，把声波反射到压电层里面。
UCC28063DR LM536003QDSXRQ1 UCC2892DR MSP430FR2111IPW16R UCC21520QDWRQ1 。
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Airgap type在制作压电层之前沉积一个辅助层(sacrificial support layer)，最后再把辅助层去掉，在震荡结构下方形成air gap。 因为只是边缘部分跟底下substrate接触，这种结构在受到压力时相对脆弱，而且跟membrane type类似，散热问题同样需要关注。
典型的基本结构如上图(a)，上下金属电极中间夹着压电层，对应的mBVD等效电路如上图(b)，对应的阻抗如上图(c)，可以看出有两个resonance频率，串联(fs)和并联(fp)。工作原理如下图。
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