制造商: STMicroelectronics
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 450 V
集电极—基极电压 VCBO: 800 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 9 V
集电极—射极饱和电压: 1.1 V
最大直流电集电极电流: 4 A
Pd-功率耗散: 70 W
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
系列: BUL39D
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
技术: Si
宽度: 4.6 mm
商标: STMicroelectronics
集电极连续电流: 4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 4
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 1000
子类别: Transistors
单位重量: 6 g
