MJD45H11-1G 正品原装进口现货
MJD45H11-1G 封装：TO-251
MJD45H11-1G 批号：20+
MJD45H11-1G 品牌：ON/安森美
以下为公司现货库存，欢迎来电咨询！
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制造商:
ON Semiconductor
产品种类:
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:
详细信息
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
IPAK-3
晶体管极性:
PNP
配置:
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:
80 V
集电极—基极电压 VCBO:
5 V
发射极 - 基极电压 VEBO:
5 V
集电极—射极饱和电压:
1 V
最大直流电集电极电流:
8 A
Pd-功率耗散:
20 W
增益带宽产品fT:
90 MHz
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
系列:
MJD45H11
封装:
Tube
高度:
6.35 mm
长度:
6.73 mm
技术:
Si
宽度:
2.38 mm
商标:
ON Semiconductor
集电极连续电流:
8 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:
60
产品类型:
BJTs - Bipolar Transistors
子类别:
Transistors
单位重量:
350 mg
日本台湾合作开发新型晶体管结构，助力2nm技术
来源：中央社 网络整理作者：时间：2021-03-09 09:37
日本台湾新型晶体管
3月9日消息，中国台湾半导体研究中心（TSRI）与日本产业技术总合研究所（AIST）合作，开发新型晶体管结构。日本媒体指出，这有助制造2nm以下线宽、规划应用在2024年后的新一代先进半导体。
中国台湾半导体研究中心在去年12月下旬公布，于IEEE国际电子组件会议IEDM（International Electron Devices Meeting）在线会议中，与日本产业技术总合研究所共同开发低温芯片键合技术；相关技术可将不同通道材料的基板，直接键合成一个基板，并应用在互补式晶体管组件上。
这项技术可有效减少组件的面积，提供下世代半导体在多层键合与异质整合的研究可行性参考。
日本经济新闻中文网今天报导，这项共同研究计划从2018年启动，日本和中国台湾研究机构各自发挥优势；日本产业技术总合研究所利用先前累积的材料开发知识和堆栈异种材料的技术，中国台湾半导体研究中心在异质材料堆栈晶体管的设计和试制技术上提供协助。
相关技术是将硅（Si）和锗（Ge）等不同信道材料从上下方堆栈、使「n型」和「p型」场效应晶体管（FET）靠近、名为CFET的结构。
报导指出，与之前晶体管相比，CFET结构的晶体管性能高、面积小，有助制造2nm以下线宽的新一代半导体；此次开发的新型晶体管，预计应用在2024年以后的先进半导体。
日本产业技术总合研究所表示，相关技术在世界上是首次，规划未来3年内向民间企业转让技术，实现商用化。
晶圆代工龙头台积电也积极布局先进半导体制程，董事长刘德音日前指出，台积电3nm制程依计划推进，甚至比预期还超前一些。台积电原订3nm今年试产，预计2022年下半年量产；台积电规画3nm采用鳍式场效晶体管（FinFET）架构，2nm之后转向环绕闸极（GAA）架构。
台积电日前也公告赴日本投资定案，将在日本投资设立100%持股子公司，实收资本额不超过186亿日元，约1.86亿美元，扩展三维芯片（3DIC）材料研究，预计今年完成。
中国台湾半导体研究中心布局包含下世代组件、前瞻内存、硅基量子计算次系统开发等半导体技术与IC应用技术服务平台，提供从组件、电路到系统整合的一条龙服务，建立半导体制造、封装测试、IC设计、硅智财、系统整合等开放性信息与服务平台。
