种类： 结型(JFET) 沟道类型： N沟道
导电方式： 耗尽型 用途： MOS-INM/独立组件
封装外形： CHIP/小型片状 材料： GE-N-FET锗N沟道
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准型
漏极至源极电压(Vdss) 200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 44A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 55 毫欧 @ 26A, 10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 5.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 140nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3430pF @ 25V
功率 - 最大 2.4W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
其它名称 *IRFB42N20DPBF
