FM24CL64B-GTR是一个64 kbit的非易失性内存，使用先进的铁电的过程。铁电随机存取内存或F-RAM是非易失性的，可以执行读写操作类似于内存。
FM24CL64B-GTR提供了151年的可靠数据保存同时消除复杂性、开销和系统级由EEPROM和其他非易失性引起的可靠性问题记忆。与EEPROM不同，FM24CL64B在总线速度。不产生写入延迟。数据被写入内存数组后，立即每个字节成功转移到设备上。下一个巴士周期可以开始了不需要数据轮询。此外，该产品提供与其他非易失性相比，具有相当大的写持久性记忆。而且，F-RAM在写入过程中表现出更低的功率因为写操作不需要一个内部写入电路的电源电压升高。
FM24CL64B-GTR能够支持1014个读/写周期写周期是EEPROM的1亿倍。这些功能使得FM24CL64B-GTR非常适合于非易失性内存应用程序，需要频繁或快速的写操作。示例范围从数据日志记录，其中写入的数量周期可能是关键的，对要求工业控制EEPROM写入时间过长会导致数据丢失。的功能的组合允许更频繁的数据写入减少系统开销。
FM24CL64B-GTR为串行用户提供了实质性的好处(I2C) EEPROM作为硬件替代。该设备
规格保证超过工业温度-40°C + 85°C。
FM24CL64B-GTR是一个串行F-RAM存储器。内存数组是逻辑组织为8,192×8位，并被访问使用行业标准I2C接口。的功能操作F-RAM类似于串行(I2C) EEPROM。主要的区别在FM24CL64B和一个串行(I2C) EEPROM与同样的pinout是F-RAM的优越写性能，高耐久性好，耗电量低。
特性
■64 kbit铁电随机存取存储器(F-RAM)逻辑
组织形式为8K×8
❐high endurance 100万亿(1014)读/写
❐151年数据保留(见数据保留和耐力
10页)
❐NoDelay™写道
❐先进的高铁电的过程
■快速2线串行接口(I2C)
❐1兆赫频率
❐直接硬件代替串行eepm (I2C)
❐支持100 kHz和400 kHz的遗留计时
■能耗低
100年❐m(typ)有功电流在100千赫
❐3m(typ)待机电流
■电压运行:VDD = 2.7 V至3.65 V
■工业温度:-40°C + 85°C
■包
❐有小轮廓集成电路(SOIC)包
❐有薄双平没有领导(DFN)包
■有害物质限制(RoHS)符合规定
