型号：K6X8016T3B-TF55
厂家：SAMSUNG
分类：单片机/电路板
子类：单片机MCU
数量：8000
产品说明
【单片机IC】【存储器IC】【逻辑器件】
【非易失性存储器】【记忆体IC】
【DRAM动态存储器件】【SRAM静态存储器件】
【PLD可编程逻辑器件】
【单片机MCU】【SDRAM内存颗粒】
【EPROM可擦除存储器】
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: ISSI
产品种类: 静态随机存取存储器
RoHS: 详细信息
存储容量: 8 Mbit
组织: 512 k x 16
访问时间: 55 ns
最大时钟频率: 18 MHz
接口类型: Parallel
电源电压-最大: 3.6 V
电源电压-最小: 2.5 V
电源电流—最大值: 4 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOP-44
封装: Tray
数据速率: SDR
系列: IS62WV51216BLL
类型: Asynchronous
商标: ISSI
端口数量: 1
湿度敏感性: Yes
产品类型: SRAM
工厂包装数量: 135
子类别: Memory & Data Storage
单位重量: 6.677 g
