STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT

STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT基于先进、专有沟槽栅极场终止结构演进而来。HB2系列以较低的电流值和较低的开关能量，通过高级VCE(sat)优化导通。STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT在75A IC时具有1.55V（典型值）低 VCE(sat)。

ST STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT包括反向并联的超快软恢复二极管。因此，STGWA75H65DFB2专门设计用于最大限度地提高效率，适合用于各种快速应用。

特性 最高结温TJ=175°C 低VCE(sat)=1.55V（IC=75A时典型值） 超快软恢复并联二极管 最小拖尾电流 参数分布紧密 低热阻 正VCE(sat)温度系数 应用 焊接 功率因数校正 UPS 太阳能逆变器 充电器 典型应用 STGWA75H65DFB2TypApp.png" alt="STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT" title="STMicroelectronics STGWA75H65DFB2 HB2 IGBT" style="box-sizing:border-box;vertical-align:middle;display:block;max-width:100%;height:auto;" />