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TPS54824RNVT

发布时间:2020/6/30 10:33:00 访问次数:153 发布企业:深圳市翔睿腾科技有限公司

TPS54824RNVT是具有完整功能的17V、8A同步降压转换器,采用了3.5mm x 3.5mm HotRod™QFN封装。

TPS54824RNVT器件专门进行了优化,具有高效率并集成了高侧和低侧MOSFET,适用于小型解决方案。它还通过使用峰值电流模式控制(可减少组件数量)并选择高开关频率(缩小电感器尺寸)进一步节省了空间。

TPS54824RNVT峰值电流模式控制简化了环路补偿并可提供快速瞬态响应。在器件过载的情况下,针对高侧和低侧拉电流限制的逐周期峰值电流限制功能可保护器件。断续模式可在短路或者过载故障持续存在的情况下限制MOSFET功率损耗。

TPS54824RNVT电源正常监控电路会对稳压器输出进行监控。PGOOD引脚是一个开漏输出,会在输出电压调节过程中进入高阻抗。除非出现故障,否则内部抗尖峰脉冲时间会阻止拉低PGOOD引脚。

TPS54824RNVT专用EN引脚可以用于控制稳压器开/关,并且调整输入欠压锁定。输出电压启动斜坡由SS/TRK引脚控制,该引脚既支持独立电源运行,又支持跟踪模式。

TPS54824RNVT是一个17伏,8-A,同步降压(buck)转换器与两个集成n通道场效应管。为了提高线路和负载瞬变期间的性能,该设备实现了一个恒定的频率,峰值电流模式控制,也简化了外部频率补偿。宽开关频率在选择输出滤波器组件时,200 kHz到1600 kHz允许效率和尺寸优化。开关频率是调整使用电阻对地的RT/CLK引脚。

TPS54824RNVT也有一个内部锁相环(PLL)连接到RT/CLK引脚,可用于同步开关周期到外部系统时钟的下降边缘。集成mosfet允许高效率的电源设计与连续输出电流高达8安培。mosfet已被尺寸优化效率为低占空比应用。该设备通过集成自举充电电路来减少外部元件的数量。偏置电压集成高侧MOSFET是由一个电容器之间的引导和SW针。启动电容器电压被一个引导到SW UVLO(引导-SW UVLO)电路监测,允许SW引脚被拉低到给启动电容充电。只要启动电容,该装置就可以在100%占空比下工作电压高于预设的启动- sw UVLO阈值,通常为2.2 V。

TPS54824RNVT被设计为安全的单调启动进入预偏负载。默认的启动是whenVIN通常为4.1 V。该EN引脚有一个内部的拉上电流源,可用于调整输入电压下的电压锁定(UVLO)与两个外部电阻。此外,内部的上拉电流EN管脚允许装置在EN管脚浮动的情况下运行。

TPS54824RNVT的工作电流通常为在不开关和空载情况下开关电压为A。当设备被禁用时,电源电流通常为3 A。SS/TRK(软启动/跟踪)引脚用于最小化涌流或提供电源顺序在启动。一个小值电容或电阻分压器应该耦合到软启动或关键的引脚电源顺序要求。输出电压可以降低到0.6 V参考(VREF)。该装置采用具有迟滞特性的功率比较器(PGOOD)来监测输出通过FB引脚的电压。PGOOD引脚是一个开漏MOSFET,当FB引脚拉低电压小于参考电压VREF的89%或大于108%,并且当FB引脚处于高电压状态时电压为VREF的91%到106%。该设备保护从输出过电压,过载和热故障条件。设备最小化输出过电压过电压过渡时,利用过电压过电压电路很好的功率比较器。当过电压比较器被激活,高侧MOSFET是关闭和阻止转动一直打开,直到FB引脚电压低于VREF的106%。该设备实现两个高侧MOSFET超过电流保护和双向低侧MOSFET过电流保护,帮助控制电感电流和避免电流失控。如果结温高于热温度,该设备也会关闭关闭访问点。该装置在连接时在软启动电路的控制下自动重启温度下降15摄氏度,通常低于热关闭跳闸点。


特性

小型3.5mm x 3.5mm HotRod™四方扁平无引线(QFN)封装

集成的14.1mΩ 和6.1mΩMOSFET

峰值电流模式控制,提供快速瞬态响应

200kHz至1.6MHz的固定开关频率

与外部时钟同步

0.6V电压基准,在广泛的温度范围内提供 ±0.85%的精度

输出电压范围:0.6V至12V

断续电流限制

安全启动至预偏置输出电压

可调软启动和电源排序

可调节输入欠压锁定

3μA关断电流

针对欠压及过压的电源良好输出监控

输出过压保护

非锁存热关断保护

运行结温范围:-40°C至150°C

由WEBENCH®设计中心提供支持


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