深圳市大唐盛世半导体有限公司
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ILD1012S500HV ： 航空电子DME频段RF功率LDMOS FET。公司优势库存。
航空电子DME频段RF功率LDMOS FET
大功率晶体管零件号ILD1012S500HV设计
适用于工作在1025-1150MHz的航空电子DME系统。 经营于
该LDMOS FET器件在10μs，1％的脉冲条件下可提供
瞬时运行时至少需要500瓦功率
带宽为1025-1150MHz。 所有设备都经过100％屏蔽，可检测大信号RF参数。
硅LDMOS FET
−高功率增益
−出色的热稳定性
AB类操作
−栅极偏置至IDQ = 40 mA
组态
−共同来源
金金属
−最大可靠性
包
−热增强
−无铅且符合RoHS要求
环氧密封盖
−合格的总泄漏
射频测试治具
−宽带
−匹配50欧姆
−长期相关
− 100％设备RF屏蔽
−无需外部调整
公司优势库存：
IGN1012S30
IGN1012L40
IGN1012S40
IGN1012S1000
IGN1011L60
IGN1011L70
IGN1011L120
IGN1011M400
IGN1011M600
IGN1011M800
IGN1011L1000
IGN1011L1200
IGN1030M40
IGN1030M800
IGN1030L800
IGN1030L1000
IGN1090M800
IGN0912L45
IGN0912CW300
IGN0912L500
ILD1012S500HV
ILD1011M15HV
ILD1011L20HV
ILD1011L200HV
ILD1011M275HV
ILD1011M550HV
ILD1011L950HV
ILD1011M1000HVC
ILD1011M160HV
ILD1011M280HV
ILD0912M15HV
ILD0912M60
ILD0912M150HV
ILD0912M400HV
IB450S300
IB450S500
IB0607S100
IB0607S1000
IB0912L30
IB0912L70
IB0912M70
IB0912L200
IB0912M210
IB0912M350
IB0912M500
IB0912M600
IB1012S10
IB1012S20
IB1012S50
IB1012S150
IB1012S500
IB1012S800
IB1012S1100
IB1011M10
IDM175CW300
IDM500CW200
IDM500CW300
IDM30512CW20
IDM30512CW50
IDM30512CW100
IDM165L650
IDM265L650
