2RI100G-160模块产品信息
FUJI品牌系列产品
2RI100G-160批号：2011+/2012+
2RI100G-160数量 200
2RI100G-160封装 :整流
2RI100G-160技术参数： 100A 1600V
富士电机推出业界最高水平低损耗“Super J-MOS系列”MOSFET
富士电机株式会社(东京都品川区、代表取缔役社长)推出业内最高水平的低损耗MOSFET“Super J-MOS系列”产品。
1．上市目的
如今，人们对地球环境越来越关心，在不断清洁化的IT领域及新能源等领域中，可实现高效电力变换的功率半导体受到广泛瞩目。
其中，MOSFET(注1)作为电力转换过程所使用的主要装置，对其降低损耗的要求越来越高。
此次，富士电机推出的Super J-MOS系列产品，采用具有新开发的低通态电阻特性的SJ结构(注2)，可大幅度地降低损耗。
据此，可通过提高设备的电力变换效率减少耗电，为实现低碳社会作贡献。
2．产品特点
・降低通态电阻70％(注3)，达到业内最高水平的低损耗。
・结合最新降低开关损耗的技术，使元器件总损耗降低14％(注4)。
3．主要规格(代表机型)
额定电压(V)
额定电流(A)
通态电阻(Ω)
封装
上市时期
600V
20A
0．19
TO-220F,TO-22O
TO-3P,TO-247
即日
30A
0．125
2012年 4月
47A
0．07
TO-3P,TO-247
2012年 4月
68A
0．04
TO-247
2012年 4月
4．主要用途
・服务器、不间断电源、播放设备等信息通信设备；
・面向太阳能电力调节器等新能源领域的电力变换装置等。
联 系 人：向雅涓（热线：13066878252）
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