很多玩家都听过“SATA固态硬盘用双通道是缩水”、“NVMe固态不给8个通道就是坑X”之类论调。当听闻美满发布了只有4个闪存通道的高端PCIe NVMe固态硬盘主控时，相信很多朋友第一感觉也是难以置信：不带这么玩的吧，什么时候“高端”门槛变得这么低了！
事实上Marvell 88SS1321还真是一款货真价实的“高端”主控，它使用12nm工艺制造，PCIe 4.0 x4接口，可支持4通道、每通道8CE，标配LDPC纠错引擎与端到端数据保护功能，顺序读取速度高达3.9GB/s。
只有4个闪存通道是如何做到3.9GB/s传输速度的呢？关键在于1200MT/s的闪存接口速率上。
闪存和内存一样都有自己的接口，用以和存储控制器之间通信。同DDR内存接口一样，闪存接口越先进，通信的速率就越高。
与AMD第三代锐龙一同推出的群联PS5016-E16 PCIe 4.0方案就采用了东芝第四代96层堆叠BiCS 3D TLC闪存，闪存接口速率667/800 MT/s，从而在8通道的主控规模上实现了5GB/s的顺序读取效能。
由于1200MT/s的闪存接口目前也只是提出阶段，再加上Marvell主控从产品发布到实际应用总是需要很长一段时间，短期内我们是见不到4通道设计在高端NVMe固态硬盘中大量应用的。
目光回到当下，双通道设计之所以会在SATA固态硬盘中得到广泛采用是基于SATA3.0接口的天然限制，只需要400MT/s的闪存接口速率就能填满SATA3.0的读取带宽。下图是东芝TR200固态硬盘，TC58NC1010GSB主控采用双通道设计。
既然如此，SATA固态硬盘为何不采用800MT/s闪存接口的单通道设计呢？这自然是出于保障写入效能的考虑：SLC缓存之外的写入速度更加需要多通道的帮助。
此外，更高封装容量和更高接口速率的闪存需要搭配I/F芯片，也会推高闪存的封装制造成本。所以东芝在96层BiCS闪存中使用了800MT/s的接口速率，而不是更高的1200MT/s甚至是1400MT/s。
我们在近期东芝发布的RD500旗舰级NVMe固态硬盘上依然会看到采用标准的8通道设计主控，支持3400/3200 MB/s顺序读写和700K/650K随机读写。
Marvell 88SS1321使用四通道设计还有降低主控制造成本的考虑。同RD500一同发布、目标瞄准主流市场的RC500也采用了四通道的主控设计，顺序读写速度降至1700/1600 MB/s，随机读写370K/420K IOPS，依然远高于它将替代的高端SATA固态硬盘缩能提供的效能。
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