DMP4013LFGQ-7

产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 汽车级，AEC-Q101


规格 FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10.3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值） 13 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 68.6nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3426pF @ 20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1W（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 PowerDI3333-8
封装/外壳 8-PowerVDFN