制造商: Diodes Incorporated
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-92-3
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V
集电极—基极电压 VCBO: 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V
集电极—射极饱和电压: 0.5 V
最大直流电集电极电流: 0.5 A
Pd-功率耗散: 1 W
增益带宽产品fT: 50 MHz
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: ZTX658
封装: Bulk
直流电流增益 hFE 最大值: 50 at 1 mA, 5 V
高度: 4.01 mm
长度: 4.77 mm
技术: Si
宽度: 2.41 mm
商标: Diodes Incorporated
集电极连续电流: 0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min: 50 at 1 mA, 5 V, 50 at 100 mA, 5 V, 40 at 200 mA, 10 V
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量: 4000
子类别: Transistors
单位重量: 453.600 mg
