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公司地址：深圳市福田区华强北路上步102栋（西座）620室
产品规格：
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
18 毫欧 @ 33A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
100nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2930pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
140W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
