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公司地址:深圳市福田区华强北路上步102栋(西座)620室
产品规格:
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
18 毫欧 @ 33A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
100nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2930pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
140W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63