SCT2160KEC具有低导通电阻和低开关损耗，最新到货，全新原装，价优！

SiC 功率 MOSFET ROHM 的 SiC MOSFET 具有低导通电阻和低开关损耗

ROHM的碳化硅 (SiC) MOSFET 可提供各种额定电流和封装。它们具有各种导通电阻，电压 (VDSS) 额定值为 650 V、1,200 V 或 1,700 V。与 IGBT 不同的是，它们在关断期间没有尾电流，因而可以更快地运行并降低开关损耗。此外，与硅器件不同，其导通电阻即使在高温下也保持相对恒定，从而使传导损耗最小化。提供具有最大短路耐受时间的第二代平面和具有更小的输入电容和较低栅极电荷模型的第三代沟槽。裸芯片额定电压最高可达 1,700 V。

特性 开关速度快，低损耗 最高结温：+175 °C 封装器件额定电压为 650 V、1,200 V 或 1,700 V 导通电阻为 17mΩ 至 1,150 mΩ 提供 Spice 模型和热模型 第二代平面技术，具有更长的短路耐受时间 对体二极管的使用没有限制 具有低输入电容的第三代沟槽技术 (CISS) 和低栅极电荷 (QG) 直流阻断电压：650 V、1,200 V、1,700 V. 极小的开关损耗 工作温度范围：-40°C 至 +175°C 应用 用于感应加热的逆变器 电机驱动逆变器 双向转换器 太阳能逆变器 功率调节器