FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
43A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
54 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
91nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
2900pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
主要产品线
Ø 功率器件POWER---大功率MOSFET,如STM,IR,FSC品牌Ø MCU---8位、16位、32位单片机，如ST,NXP,SAMSUNG品牌
Ø 可编程器件FPGA，DSP---如XILINX,TI品牌
Ø 数模/模数转换AD/DA---如AD,MAXIM品牌
Ø 传感器---如OPTEK,AVAGO,ST品牌
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