类别 分立半导体产品
晶体管-FET，MOSFET-单
制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc.
包装? 剪切带（CT）?
零件状态 在售
FET类型 P沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流-连续漏极（Id）（25°C时） 5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） 4.5V，10V
不同Id，Vgs时的RdsOn（最大值） 52毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值） 3V@250μA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值） 18nC@10V
Vgs（最大值） ±20V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） 840pF@15V
功率耗散（最大值） 2W（Ta）
工作温度 -55°C~150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SC-74，SOT-457
