型号：IPD65R400CE
品牌：INFINEON
参数说明：
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
15.1A (Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
400毫欧 @ 3.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 320μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
39nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
710pF @ 100V
FET 功能
超级结
功率耗散（最大值）
118W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
深圳市中意法电子科技有限公司
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