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IPB60R080P7ATMA1

发布时间:2019/7/9 16:11:00 访问次数:43 发布企业:深圳市科雨电子有限公司

IPB60R080P7ATMA1



製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: TO-263-3
通道數: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 37 A
Rds On - 漏-源電阻: 69 mOhms
Vgs th - 門源門限電壓 : 3 V
Vgs - 閘極-源極電壓: 20 V
Qg - 閘極充電: 51 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 129 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: Reel
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: Infineon Technologies
下降時間: 5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
原廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
標準斷開延遲時間: 70 ns
標準開啟延遲時間: 15 ns
零件號別名: IPB60R080P7 SP001664898

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