产品描述：STF13NM60N
这些器件是N沟道功率MOSFET使用第二代开发的MDmesh™技术。 这种革命性的力量MOSFET将垂直结构与其相关联公司的条形布局产生了世界上的一个最低导通电阻和栅极电荷。 它是因此适合最苛刻的高效率转换器。
产品特性：STF13NM60N
■100％雪崩测试
■低输入电容和栅极电荷
■低栅极输入电阻
应用：STF13NM60N
■切换应用程序
制造商:STF13NM60N
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-220-3
通道数量:
1 Channel
晶体管极性:
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:
600 V
Id-连续漏极电流:
11 A
Rds On-漏源导通电阻:
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
25 V
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
25 W
配置:
Single
通道模式:
Enhancement
商标名:
MDmesh
封装:
Tube
系列:
STF13NM60N
晶体管类型:
1 N-Channel
商标:
STMicroelectronics
下降时间:
10 ns
产品类型:
MOSFET
上升时间:
8 ns
工厂包装数量:
1000
子类别:
MOSFETs
典型关闭延迟时间:
30 ns
典型接通延迟时间:
3 ns
单位重量:
330 mg
