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FinFET之父胡正明教授展望2nm之后的长远发展之路
近日，一年一度的新思科技开发者大会在上海拉开帷幕。作为新思科技开发者大会特邀嘉宾，被誉为FinFET之父的胡正明教授视频分享了其对行业发展的独到见解。
2nm之后的路在何方？
胡正明教授指出“行业每20年总会有一个危机。20年前，行业对今后用什么技术来提高芯片性能、降低功耗的同时不增加成本，非常悲观。FinFET技术的出现解决了这个问题，但是现如今最前端的公司都面临着先进工艺不断向7nm、5nm、2nm迈进之后的工艺挑战。解决之道就是要找到长远的发展之路。”
近期的研究分享
2018年，胡正明教授的同事有一个发明：负电容晶体管。过去十年，胡正明教授都在参与研究负电容晶体管以期将功耗降低10倍，也许以后还有更多益处。
对中国开发者的寄语
他肯定了过去十几年，行业的开发者团队对世界科技进步和经济成长的重要性，建议开发者一步一个脚印，踏踏实实进行产业革新，不管是对于个人还是公司，都要在现有的基础上，让自己的产品研发在国内和国际上越来越有竞争力。
今年的开发者大会对新思科技来说更具时代意义——拥有29年历史的SNUG(新思科技用户大会)全新升级、焕然新生。大会共吸引了超过1400位来自全球的开发者共享前沿科技的创新成果，分享了超过40个开发者优秀案例，覆盖众多改变未来世界的热门应用。同时，有超过20家全球合作伙伴在现场展示最新应用互动体验，涉及人工智能、智能汽车、5G、物联网、数据中心等前沿领域。
人类走到今天，每一个微小的进步都不可或缺。新思科技致力于为全球开发者提供最前沿的工具和平台实现芯片创新，携手开发者让科技更有温度，让世界更美好，让明天更有新思。
