标准包装 240
包装 管件
零件状态 不適用於新設計
类别 分立半导体产品
SPW47N60C3产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 CoolMOS™
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 2.7mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 320nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6800pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 415W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO247-3
封装/外壳 TO-247-3产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 47 A
Rds On-漏源导通电阻: 70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 252 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 415 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
系列: CoolMOS C3
晶体管类型: 1 N-Channel
SPW47N60C3宽度: 5.21 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 111 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: SP000013953 SPW47N60C3FKSA1 SPW47N6C3XK
单位重量: 38 g
