品牌：ST
参数说明：
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
14A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
299 毫欧 @ 7A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1250pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
深圳市中意法电子科技有限公司
联系人：王利娟
电话:(86)-755-83267371/13823141664
Q Q :1956362715
邮箱：sales28@sth-ic.com
地址：深圳市福田区振华路118号华丽大院1栋408
网址: http//www.sth-ic.com
