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ESD8472MUT5G

发布时间:2019/6/18 12:36:00 访问次数:375 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:ESD8472MUT5G

ESD8472MUT5G:超低电容RFESD保护

ESD保护二极管超低电容用于ESD保护的微型封装二极管

ESD8472MUT5G旨在保护电压敏感元件需要ESD和瞬态电压的超低电容事件。优异的钳位能力,低电容,高击穿电压,高线性度,低泄漏和快速响应时间使这些部件成为电路板设计中ESD保护的理想选择空间非常宝贵。它具有业界领先的电容线性度过压使其成为RF应用的理想选择。这个电容线性度与极小的封装和低插入损耗使该部件非常适合用于天线无线手机和终端的应用。


产品特征:ESD8472MUT5G

•业界领先的电容线性过电压

•超低电容:0.2pF

•插入损耗:0.030dBm

•0201DNS封装:0.60mmx0.30mm

•支持电压:5.3V

•低泄漏:<1nA

•低动态阻力:<1

•1000ESDIEC61000-4-2触发±8kV接触/空气放电

•适用于汽车和其他需要独特应用的SZ前缀

现场和控制变更要求;AEC-Q101合格和

PPAP能力

•这些器件无铅,无卤素且符合RoHS标准


典型应用:ESD8472MUT5G

•RF信号ESD保护

•RF开关,PA和天线ESD保护

•近场通信

•USB2.0,USB3.0

制造商 ONSemiconductor
制造商零件编号 ESD8472MUT5G
描述 TVSDIODE5.3V14V2X3DFN
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
原厂标准交货期 6周
详细描述 14V-Clamp-3A(8-20μs)-Ipp-Tvs-Diode-表面贴装-2-X3DFN(0.62x0.32)

一般信息

数据列表 ESD8472;

标准包装ESD8472MUT5GOSTR-ND;part_id=5257582;ref_supplier_id=488;ref_page_event=Standard Packaging" data_ue_src="/editor/editor_member_news//uploadfile/error!" /> 10,000
包装 标准卷带
零件状态 在售
类别 电路保护
产品族 TVS-二极管
系列 -


规格

类型 齐纳
双向通道 1
电压-反向关态(典型值) 5.3V(最大)
电压-击穿(最小值) 7V
电压-箝位(最大值)@Ipp 14V
电流-峰值脉冲(10/1000μs) 3A(8/20μs)
功率-峰值脉冲 -
电源线路保护 无
应用 RF天线
不同频率时的电容 0.2pF@1MHz
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 0201(0603公制)
供应商器件封装 2-X3DFN(0.62x0.32)



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