ROHM Semiconductor 2Mbit 256k x 8位FeRAM是一种采用铁电工艺和硅栅CMOS技术开发的非易失性铁电随机存取存储器（FeRAM）。使用串行外设接口访问2Mbit FeRAM。由于单元是非易失性的，因此该FeRAM器件消除了保持数据所需的电池备份。2Mbit FeRAM存储器不提供擦除和编程存储器单元和块的机制，因为它们用于各种EEPROM。该FeRAM器件保证1012个周期/位的写/读容差，并且可以显着扩展重写计数，以用于各种应用。
特征 256k x 8位配置（串行外设接口） 2.7V至3.6V单电源供电范围 34MHz工作频率 读/写容差1012个周期/位 -40°C至85°C的工作温度范围 -55°C至125°C的储存温度范围 套餐选择：8针塑料DIP
