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SST26VF032B-104I/SM

发布时间:2019/6/12 12:28:00 访问次数:52 发布企业:西旗科技(深圳)有限公司





产品描述:SST26VF032B-104I/SM

串行四路I/O™(SQI™)系列闪存器件具有六线,4位I/O接口,允许低引脚数,低功耗,高性能工作包。SST26VF032B-104I/SM/032BA还支持完整的命令集兼容传统的串行外设接口(SPI)协议。使用SQI闪存设备进行系统设计占用更少的电路板空间,最终降低系统成本。26系列SQI系列的所有成员均已生产采用专有的高性能CMOSSuperFlash®技术。分裂栅极单元设计和厚氧化物隧穿喷射器获得更好的可靠性和可制造性与替代方法相比。SST26VF032B-104I/SM/032BA显着提高了性能和可靠性,同时降低功耗。这些设备使用单个电源写入(编程或擦除)2.3-3.6V。消耗的总能量是该能量的函数施加电压,电流和施加时间。因此任何给定的电压范围,SuperFlash技术都使用编程电流较小,擦除时间较短任何擦除或编程操作期间消耗的总能量不如替代闪存技术。SST26VF032B/032BA采用8触点WDFN封装(6mmx5mm),8引脚SOIJ(5.28mm)和24引脚

TBGA(6mmx8mm)。有关引脚分配,请参见图2-2。

订购时可提供两种配置。

上电时SST26VF032B默认有WP#和HOLD#引脚使能,SIO2和SIO3引脚禁用,启动SPI协议操作。上电时SST26VF032BA默认有WP#和HOLD#引脚禁用,SIO2和SIO3引脚


产品特征:SST26VF032B-104I/SM

•单电压读写操作

-2.7-3.6V或2.3-3.6V

•串行接口架构

-具有SPI类串行的半字节宽度多路复用I/O.

命令结构

-模式0和模式3

-x1/x2/x4串行外设接口(SPI)协议

•高速时钟频率

-2.7-3.6V:最大104MHz

-2.3-3.6V:最大80MHz

•突发模式

-连续线性爆发

-8/16/32/64字节线性爆发与环绕

•卓越的可靠性

-耐力:100,000周期(分钟)

-超过100年的数据保留

•低功耗:

-有源读取电流:15mA(典型值@104MHz)

-待机电流:15μA(典型值)

•快速擦除时间

-扇区/块擦除:18ms(典型值),25ms(最大值)

-芯片擦除:35ms(典型值),50ms(最大值)

•页面计划

-x1或x4模式下每页256字节

•写入结束检测

-软件轮询状态寄存器中的BUSY位

•灵活的擦除能力

-统一的4KB扇区

-四个8KB的顶部和底部参数覆盖

-一个32KB的顶部和底部覆盖块

-统一的64KB重叠块

•写入暂停

-暂停程序或擦除操作以进行访问

另一个街区/部门

•软件重置(RST)模式

•软件写保护

-具有永久性的单块写保护

锁定能力

-64KByte块,两个32KByte块,和

八个8KB的参数块

-顶部和底部8KByte的读取保护

参数块

•安全ID

-一次性可编程(OTP)2KB,安全ID

-64位唯一的工厂预编程标识符

-用户可编程区域

•温度范围

-工业:-40°C至+85°C

-IndustrialPlus:-40°C至+105°C

•汽车AECQ-100二级和三级

•可用套餐

-8触点WDFN(6mmx5mm)

-8引脚SOIJ(5.28mm)

-24球TBGA(6mmx8mm)

•所有器件均符合RoHS标准

制造商 MicrochipTechnology 制造商零件编号 SST26VF032B-104I/SM 描述 ICFLASH32MSPI104MHZ8SOIJ 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 6周 详细描述 闪存-存储器-IC-32Mb-(4M-x-8)-SPI-四-I-O-pval-800-pval-2192-8-SOIJ

一般信息

数据列表 SST26VF032B,BA;
标准包装 90 包装 管件 零件状态 在售 类别 集成电路(IC) 产品族 存储器 系列 SST26SQI®


规格

存储器类型 非易失 存储器格式 闪存 技术 闪存 存储容量 32Mb(4Mx8) 存储器接口 SPI-四I/O 时钟频率 104MHz 写周期时间-字,页 1.5ms 电压-电源 2.7V~3.6V 工作温度 -40°C~85°C(TA) 安装类型 表面贴装 封装/外壳 8-SOIC(0.209",5.30mm宽) 供应商器件封装 8-SOIJ

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